Prof. Albert J.P. Theuwissen
Albert J.P.Theuwissen 教授 (1954) は 1977 年にベルギーの Leuven カトリック大学 (Catholic University of Leuven) で電子工学博士学位を取得しました。その論文はリニア CCD イメージセンサ周辺の支持ハードウェアの開発に関するものです。 2001 年現在オランダの Delft に位置するデルフト工科大学 (Delft University of Technology) で非常勤教授として在任しています。この大学ではソリッドステートイメージングに対する講義をし、博士過程の学生達に CMOS イメージセンサ研究を指導しています。
2005 年にソリッドステートイメージセンサ分野のヨーロッパ研究、開発活動を活性化させるために非営利団体の ETETIS(European Technical Expert Team on Image Sensors) を設立しました。「 Photonics Spectra 」の編集委員でもあり、 IEEE の特別会員、 SPIE の一員として活動しています。
1977 年から 1983 年まで Leuven カトリック大学の ESAT- 研究所でリニア CCD イメージセンサ用半導体技術開発に専念しました。 1983 年には電気工学博士学位を取得し、その博士学位論文は CCD 技術でゲート物質としての透明な伝導層の具現に関するものでした。
1983 年にオランダの Einthoven にあるフィリップリサーチ研究所の超小型回路部門で科学分野スタッフの一員として参加しました。ソリッドステートイメージセンサ分野研究に関与した以後、 SDTV 及び HDTV イメージ装置に対するプロジェクトを先導しました。 1991 年に CCD と CMOS ソリッドステートイメージング活動を含むイメージデバイス部の所長になりました。
2002 年 4 月には DALSA 社に最高技術役員として合流しました。 2004 年 9 月に最高技術役員職に退き DALSA 半導体社の最高科学者になりソリッドステートイメージセンサ技術を教え訓練することに専念しています。
ソリッドステートイメージ分野で多くの技術論文の著者又は共著者として参加し、いくつかの特許権を獲得しました。 1988 年、 1989 年、 1995 年、 1996 年には国際電子装置会議 (International Electron Device Meeting) の論文選抜委員会員でした。 1991 年 5 月号、 1997 年 10 月号、 2003 年 1 月号にソリッドステートイメージセンサに関する IEEE Transactions on Electron Devices 特集記事の共同編集者であり、 1998 年 11/12 月号デジタルイメージに関する IEEE マイクロ特集記事の共同編集者でした。
1997 年と 2003 年に Charge-Coupled Device と Advanced Image Sensor に関する IEEE 国際ワークショップの議長として任務を遂行しました。先に言及したワークショップの運営委員会の一員であり同時にソリッドステートイメージセンサ分野で最も優れた論文を授賞する Walter Kosonocky Award の設立者でもあります。
数年間、 European Solid-State Device Research Conference と European Solid-State Circuits Conference の技術委員を歴任し、現在は International Solid-State Circuits Conference の技術委員として活動しています。また、この委員会において、ヨーロッパ ISSCC 委員会事務総長、副議長、議長を歴任し、現在全体 ISSCC 執行委員会の会員です。
1995 年、「 Solid-State Imaging with Charge-Coupled Devices 」という本を著述しました。 2005 年にはソリッドステートイメージセンサ分野のヨーロッパ内 R&D 活動を活性化させるために非営利団体である ETETIS(European Technical Expert Team on Image Sensors) を設立しました。